AS4C16M16SA-6TIN, микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54

Фото 1/2 AS4C16M16SA-6TIN, микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
760 руб.
от 5 шт.520 руб.
от 20 шт.462 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 руб.
Номенклатурный номер: 8024404415
Артикул: AS4C16M16SA-6TIN
Бренд / Производитель: Alliance Memory Inc

Описание

микросхемы памяти
Память SDRAM IC 256 МБ (16M x 16) Параллельный 166 МГц 5ns 54-TSOP II

Технические параметры

Access Time 5ns
Clock Frequency 166MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0024
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 256Mb (16M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 54-TSOP II
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 12ns
Brand Alliance Memory
Data Bus Width 16 bit
Factory Pack Quantity 108
Manufacturer Alliance Memory
Maximum Clock Frequency 166 MHz
Maximum Operating Temperature +85 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Organization 16 M x 16
Packaging Tray
Product Category DRAM
RoHS Details
Supply Current - Max 60 mA
Supply Voltage - Max 3.6 V
Supply Voltage - Min 3 V
Type SDRAM

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1718 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем