DMC6040SSD-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -60/60В, -3,9/5,1А, 1,56Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
Описание Транзистор полевой DMC6040SSD-13 от DIODES INCORPORATED сочетает в себе высокие технические характеристики и надежность. Элемент выполнен в SMD-монтаже и имеет корпус SO8, что облегчает его интеграцию в различные электронные устройства. С током стока 3,9 А и напряжением сток-исток в 60 В, этот N+P-MOSFET способен управлять мощными нагрузками при мощности 1,56 Вт. Особо стоит отметить низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,04 Ом, что делает DMC6040SSD13 оптимальным выбором для эффективной и экономичной коммутации. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N+P-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 3.9 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 1.56 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.04 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Channel Type | Complementary N and P Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.033Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.033Ом |
Power Dissipation N Channel | 1.24Вт |
Power Dissipation P Channel | 1.24Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 5.1А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 5.1А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 5.1А |
Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 1.24Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.033Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 4.3 nS, 26.1 nS |
Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A, 3.1 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation: | 1.56 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 20.8 nC, 9.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms, 130 mOhms |
Rise Time: | 1.8 ns, 6.3 ns |
Series: | DMC6040 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 20.1 nS, 58.7 nS |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.6 nS, 3.7 nS |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 360 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары