HYG015N10NS1TA
3152 шт. со склада г.Москва
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 28 шт. —
240 руб.
от 118 шт. —
211.97 руб.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 3 770 руб.
Номенклатурный номер: 8024562349
Бренд: HUAYI
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
100V 380A 428.5W 1.2mΩ@10V,100A 3V@250uA N Channel TOLL-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
кол-во в упаковке | 80 |
Continuous Drain Current (Id) | 380A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2mΩ@10V, 100A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 12.3nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 428.5W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 250pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 205nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 1.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 453 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.