BFU590QX, Биполярный транзистор NPN 12В 200мА 2Вт Кус 60-130 8ГГц
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 13 шт. —
130 руб.
от 25 шт. —
120 руб.
от 49 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы
Биполярный транзистор NPN 12В 200мА 2Вт Кус 60-130 8ГГц
Технические параметры
Корпус | SOT-89-3 | |
Brand | NXP Semiconductors | |
Collector- Base Voltage VCBO | 24 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 16 V | |
Configuration | Dual | |
Continuous Collector Current | 80 mA | |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 | |
DC Current Gain hFE Max | 130 | |
Emitter- Base Voltage VEBO | 2 V | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Gain Bandwidth Product fT | 8 GHz | |
Manufacturer | NXP | |
Maximum DC Collector Current | 300 mA | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -40 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Operating Frequency | 900 MHz | |
Operating Temperature Range | -40 C to+150 C | |
Package / Case | SOT89-3 | |
Packaging | Cut Tape | |
Pd - Power Dissipation | 2000 mW | |
Product Category | RF Bipolar Transistors | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | NPN | |
Transistor Type | Bipolar Wideband | |
Type | Wideband RF Transistor | |
Unit Weight | 0.001423 oz | |
Вес, г | 0.109 |
Техническая документация
Datasheet BFU590QX
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов