IRF7316TRPBF, , Транзистор , HEXFET, 2 P-канала, 30В, 4.9А, корпус SOIC-8

IRF7316TRPBF, , Транзистор , HEXFET, 2 P-канала, 30В, 4.9А, корпус SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 50 шт.53 руб.
от 100 шт.50 руб.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 1 375 руб.
Номенклатурный номер: 8024844479
Артикул: IRF7316TRPBF, , Транзистор , HEXFET, 2 P-канала, 3

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Технические параметры

Корпус SOIC-8
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 710
Заряд затвора, нКл 34
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4.9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 58
Мощность рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-1В
Описание Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости 2P
Упаковка REEL, 4000 шт.
Вес, г 1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов