IPB60R120P7ATMA1, Биполярный транзистор N-канал 600В 26А D2PAK TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
от 2 шт. —
620 руб.
от 8 шт. —
598 руб.
от 14 шт. —
597.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Описание
транзисторы биполярные импортные
USB-C Chargers & AdaptersInfineon Technologies offers tailor-made semiconductors considering customers" priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery as well as ESD protection devices.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 6 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | IPB60R120P7 SP001664922 |
Pd - Power Dissipation: | 95 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 36 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 81 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1252 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем