IXTH30N60P, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 30A 540Вт 0,24Ом TO247AD

IXTH30N60P, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 30A 540Вт 0,24Ом TO247AD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 810 руб.
от 3 шт.2 230 руб.
от 10 шт.1 800 руб.
от 30 шт.1 572.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 810 руб.
Номенклатурный номер: 8025130655
Артикул: IXTH30N60P
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 30A
Drain-source voltage 600V
Features of semiconductor devices standard power mosfet
Gate charge 82nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 0.24Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 540W
Reverse recovery time 0.5µs
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 6.11

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов