SI4056DY-T1-GE3, Биполярный транзистор N канал 100В 11.1A SOIC8N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 руб.
от 50 шт. —
700 руб.
от 200 шт. —
671 руб.
от 350 шт. —
670.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Описание
транзисторы биполярные импортные
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11.1 A |
Maximum Drain Source Resistance | 31 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 5.7 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Series | ThunderFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
Width | 4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов