2SC5200N(S1,E,S)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2000 шт., срок 6 недель

370 руб.

Кратность заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 9 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8025502717

Бренд: Toshiba

Биполярный (BJT) транзистор NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P (N)

Base Product Number	TC75W59 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
Current - Collector Cutoff (Max)	5ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 1A, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	30MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	Not Applicable
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	150W
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	230V
Maximum Collector Base Voltage	230 V
Maximum Collector Emitter Voltage	230 V
Maximum DC Collector Current	15 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum DC Current Gain	55
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-3P
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single