Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET ...

SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

26 руб.

Мин. кол-во для заказа 18 шт.

от 58 шт. — 22 руб.

от 116 шт. — 20 руб.

от 232 шт. — 19 руб.

Добавить в корзину 18 шт. на сумму 468 руб.

Номенклатурный номер: 8025699915

Артикул: SI2343CDS-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A

Технические параметры

Корпус	SOT23-3
Brand	Vishay/Siliconix
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	10 S
Id - Continuous Drain Current	5.9 A
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	SI2343CDS-GE3
Pd - Power Dissipation	2.5 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	21 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	45 mOhms
Rise Time	10 ns
Series	SI2
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Tradename	TrenchFET
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	18 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.037Ом
Power Dissipation	2.5Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	5.9А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1.2В
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.037Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Maximum Continuous Drain Current	4.7 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	13.6 nC 10 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.04