MDD312-12N1, Discrete Semiconductor Modules 312 Amps 1200V

Фото 1/2 MDD312-12N1, Discrete Semiconductor Modules 312 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
37 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 37 500 руб.
Номенклатурный номер: 8005250450
Артикул: MDD312-12N1
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Модуль: диодный, два последовательных диода, 1,2кВ, If: 310А, 520А Характеристики
Категория Диод
Тип модуль
Вид диодный
Монтаж винтами

Технические параметры

Diode Configuration Series
Diode Type Rectifier
Maximum Continuous Forward Current 310A
Maximum Forward Voltage Drop 1.32V
Mounting Type Panel Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type Y1 CU
Peak Reverse Repetitive Voltage 1200V
Pin Count 3
Rectifier Type General Purpose
Diode Technology Silicon Junction
Вес, г 680

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MDD255-16N1
pdf, 42 КБ
Datasheet MDD312-12N1
pdf, 81 КБ