Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
3 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 960 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Комплектующие\Память\Память DDR5
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 8GB UNB 5600 1Rx16, 1.1V
Технические параметры
| Форм-фактор | DIMM | |
| Тип памяти | DDR5 | |
| Количество контактов | 288 | |
| Модель | M323R1GB4DB0-CWM | |
| CAS Latency (CL) | 40 | |
| manufacturerCountry | Корея, республика | |
| pictureID | 587081 | |
| гарантия | 3 года | |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 | |
| масса(кг) | 0.03 | |
| Напряжение (В) | 1.1 | |
| Низкопрофильная | нет | |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 | |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 | |
| описание | Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung | |
| Поддержка ECC | Нет | |
| Поддержка Reg | Нет | |
| Подсветка | нет | |
| Производитель | Samsung | |
| Пропускная способность (МБ/с) | 38400 | |
| Радиатор | Нет | |
| Тип модуля | DIMM | |
| Тип оборудования | Оперативная память | |
| Частота (MHz) | DDR4-4800 | |
| Low Profile | н/д | |
| Гейминг | н/д | |
| Количество модулей в комплекте | 1 | |
| Наличие буфера на модуле памяти (Registered) | н/д | |
| Совместимость | Registered | |
| Тип оперативной памяти | DDR5 | |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 | |
| Row Precharge Delay (tRP) | 40 | |
| Бренд | SAMSUNG | |
| Латентность (CAS) | CL40 | |
| Объем одного модуля | 8 ГБ | |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ | |
| Тактовая частота | 5600 МГц | |
| Количество модулей в комплекте, шт. | 1 | |
| Общий объем памяти, Гбайт | 8 | |
| Объем одного модуля, Гбайт | 8 | |
| Вес, г | 25 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
