Samsung SSD 2Tb 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S2T0B/AM

Фото 1/10 Samsung SSD 2Tb 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S2T0B/AM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
183 шт. со склада г.Москва
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
24 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 24 000 руб.
Номенклатурный номер: 8026500011
Артикул: MZ-V7S2T0B/AM

Описание

Комплектующие\SSD-накопители\SSD Samsung

Технические параметры

Объем накопителя, ГБ 2000
Форм-фактор накопителя (физический), " M.2
manufacturerCountry Таиланд
MTBF 1500000 ч
pictureID 585364
гарантия 3 года
Для веб-сервера или файлового сервера нет
Для сервера баз данных нет
Интерфейс SSD PCI-Express
Комплект поставки SSD
Контроллер Samsung Phoenix
Максимальные перегрузки 1500 G
масса(кг) 0.1
Модель MZ-V7S2T0B/AM
Объем (Гб) 2000
описание SSD накопитель MZ-V7S2T0B/AM от компании Samsung.
ПО в комплекте нет
Потребление энергии (Вт) 9
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ Для сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2 При превышении параметра "Ресурс в TBW" или "Ресурс DWPD", указанного в спецификации, устройство снимается с гарантии.
Производитель Samsung
Пропускная способность интерфейса (Гбит/с) 16
Размеры (ширина x высота x глубина) 22x2.38x80
Ресурс SSD 1200 TBW
Серия EVO
Скорость записи (Мб/с) 3300
Скорость чтения (Мб/с) 3500
Тип интерфейса NAND Flash памяти TLC 3D NAND
Тип оборудования SSD диск
Тип чипов TLC 3D NAND
Форм-фактор M.2 2280
Бренд SAMSUNG
Время наработки на отказ 1500000 ч
Максимальная скорость записи 3300 МБ/с
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 620000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 560000
Максимальная скорость чтения 3500 МБ/с
Объем накопителя 2048 ГБ
Потребляемая мощность 9 Вт
Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.03 Вт
Ресурс TBW 1200 ТБ
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 560000
Тип жесткого диска SSD
Толщина товара 2.38 мм
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Версия PCI-E PCIe 3x4 w/NVMe
Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с 7876
Высота, мм 2.38
Глубина, мм 22.15
Номинальный объем, ГБ 2000
Объем буфера, МБ 2048
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да
Позиционирование использования Desktop
Серия продукции EVO Plus
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 620
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 560
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ 1200
Тип буферной памяти DDR4
Тип интерфейса PCI Express
Тип комплектации RTL
Тип памяти V-NAND 3-bit MLC
Ударостойкость при работе, G 1500
Ударостойкость при хранении, G 1500
Ширина, мм 80.15
Энергопотребление при работе, Вт, max 9
Объем памяти 2000
DRAM буфер ДА
PartNumber/Артикул Производителя MZ-V7S2T0B/AM
Базовая модель MZ-V7S2T0
Высота упаковки (ед), м 0.02
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ, м 0.165x0.1x0.02
Длина упаковки (ед), м 0.165
Мощность в режиме ожидания, Вт 0.03
Объем DRAM буфера, МБ 2048
Объем накопителя ТБ, ТБ 2
Объем упаковки (ед), м3 0.00033
Ресурс TBW, ТБ 1200
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 620000
Толщина товара, мм 2.38
Ширина упаковки (ед), м 0.1
Вес, г 100

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.