Bipolar junction transistor, PNP, 1.5 A, 45 V, THT, TO-126, BD136-10-S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 шт., срок 6 недель
94 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 50 шт. —
62 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 940 руб.
Описание
Semiconductors\Power Semiconductors
PNP transistor, BD136-10-S, CDIL
The BD136-10-S PNP epitaxial silicon power transistor is designed for use as audio amplifier and drivers utilizing.
Технические параметры
| Assembly | THT |
| Collector current | 1.5 A |
| Enclosure | TO-126 |
| Max DC amplification | 160 mA |
| max. operating temperature | 150 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 45 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |
| Min DC gain | 63 mA |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power dissipation | 1.25 W |
| Rated current | 1.5 A |
| Saturation voltage | 500 mV |
| Transit frequency fTmin | 50 MHz |
| Version | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![КТ973А, Транзистор Дарлингтона, PNP, 60В, 2А, 1.25Вт, h21е 750…5000 [КТ-27/TO-126] (=BD876)](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
![2SC2500-C, Транзистор NPN 30В 2А 0.9Вт 150МГц [TO-92MOD]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299932.jpg)
![2SC1959-Y, Транзистор NPN 35В 0.5А [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/218/DOC000218565.jpg)
