Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 80 V, THT, TO-126, BD679A

Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 80 V, THT, TO-126, BD679A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
573 шт., срок 6 недель
250 руб.
от 10 шт.160 руб.
от 50 шт.126 руб.
от 250 шт.97.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 8026543483
Артикул: BD679A

Описание

Semiconductors\Power Semiconductors

NPN transistor, BD679A, CDIL

The BD679A NPN plastic power darlington transistor is used for high power switching application.

Технические параметры

Assembly THT
Collector current 4 A
Enclosure TO-126
max. operating temperature 150 °C
max.voltage between collector and base Vcbo 80 V
max.voltage between collector and emitter Vceo 80 V
Min DC gain 750 mA
min. operating temperature -55 °C
Power dissipation 40 W
Rated current 4 A
Saturation voltage 2.8 V
Transit frequency fTmin 1 MHz
Version NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 56 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.