Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 80 V, THT, TO-126, BD679A
![Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 80 V, THT, TO-126, BD679A](https://static.chipdip.ru/lib/739/DOC046739560.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
573 шт., срок 6 недель
250 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 50 шт. —
126 руб.
от 250 шт. —
97.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Power Semiconductors
NPN transistor, BD679A, CDIL
The BD679A NPN plastic power darlington transistor is used for high power switching application.
Технические параметры
Assembly | THT |
Collector current | 4 A |
Enclosure | TO-126 |
max. operating temperature | 150 °C |
max.voltage between collector and base Vcbo | 80 V |
max.voltage between collector and emitter Vceo | 80 V |
Min DC gain | 750 mA |
min. operating temperature | -55 °C |
Power dissipation | 40 W |
Rated current | 4 A |
Saturation voltage | 2.8 V |
Transit frequency fTmin | 1 MHz |
Version | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 56 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары