PMBTA56.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 458 шт.
Добавить в корзину 458 шт.
на сумму 2 290 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 0,5А, 250мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Корпус | to236 | |
| кол-во в упаковке | 1 | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 3 mm | |
| Другие названия товара № | PMBTA56 T/R | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.4 mm | |
| Base Product Number | PMBTA56 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 50MHz | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Power - Max | 250mW | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> | |
| Supplier Device Package | TO-236AB | |
| Transistor Type | PNP | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V | |
| Maximum DC Collector Current | 500mA | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 100 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.036 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
