КТ960А, транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные Россия

КТ960А, транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные Россия
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт. со склада г.Москва, срок 1-2 недели
1 050 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 250 руб.
Номенклатурный номер: 8026576220
Артикул: КТ960А, транзисторы кремниевые эпитаксиально-плана
Бренд: Нет торговой марки

Описание

КТ960А
Транзисторы КТ960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-32.
Импортный аналог: CM40-12, CD6105A, A5919, MRF323, MRF1008MC, MRF1008MA, 2SC1334.

Основные технические характеристики транзистора КТ960А:
∙ Структура транзистора: n-p-n;
∙ Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 70 Вт;
∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
∙ Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);
∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;
∙ Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (36В);
∙ Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
∙ Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ;
∙ Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;
∙ tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 12,5 пс

Технические параметры

Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 36
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 600
Корпус кт-32
Вес, г 7

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.