AO3415A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8224 шт. со склада г.Москва
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 735 шт.
от 1700 шт. —
4 руб.
от 6000 шт. —
3.53 руб.
Добавить в корзину 735 шт.
на сумму 3 675 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
20V 4A 50m-@4.5V,4A 350mW 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Корпус | sot23 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 4A,4.5V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA | |
Вес, г | 0.039 |
Техническая документация
Datasheet AO3415A
pdf, 1343 КБ
Datasheet UMW AO3415A
pdf, 588 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.