КТ829В Биполярный транзистор, NPN

Транзисторы КТ829В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Импортный аналог: BD643, BD677, BDW23A, BD331, BDX53A.

Основные технические характеристики транзистора КТ829В:
∙ Структура транзистора: n-p-n;
∙ Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
∙ Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм);
∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
∙ Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
∙ Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мА (100В);
∙ h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
∙ Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
∙ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,57 Ом