Транзистор BC848C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2300 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 50 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)
Описание Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 100мА; 200мВт; SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 258 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
