Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) 2Tb Samsung 990 PRO (R7450/W6900MB/s) 1year

Фото 1/10 Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) 2Tb Samsung 990 PRO (R7450/W6900MB/s) 1year
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 5-6 дней
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
25 750 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 25 750 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8018341033
Артикул: MZ-V9P2T0BW

Описание

08. Комплектующие\Твердотельные накопители SSD\SSD NVMe внутренние
Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990 PRO, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 2048MB, TBW 1200, DWPD 0.33 (12 мес.)

Технические параметры

Объем накопителя, ГБ 2000
Интерфейс PCI-E
Ресурс TBW, Tb 1200
Форм-фактор накопителя (физический), " M.2
Размер (накопители SSD) 2000
Тип памяти V-NAND 3-bit MLC
MTBF 1500000 ч
Гейминг Да
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с 6900/7450
Тип SSD
Цвет Черный
TBW твердотельного накопителя, Тбайт 1200
Ёмкость накопителя, Гбайт 2000
Кэш-память 2GB LPDDR4
Модель Samsung 990 PRO
Назначение Клиентские ПК
Скорость последовательной записи, Мбайт/c 6900
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 1400000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 1550000
Средняя наработка на отказ, ч 1500000
Тип памяти TLC
NVMe да
PCIe Gen4 да
Traceability N
Количество в упаковке 1
Объем, м3 0.0003
Размер 80x22x2.3мм
Серия 990 PRO
Скорость записи, Мб/сек. 6900
Скорость чтения, Мб/сек. 7450
Толщина диска 2.3mm
Время наработки на отказ 1500000 ч
Код производителя MZ-V9P2T0BW
Объём кэш памяти 2048 Мб, Low Power DDR4
Объём накопителя 2000 Гб
Производитель Samsung
Скорость записи 6900 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков 1200000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков 1550000 IOPS
Скорость чтения 7450 МБ/сек
Тип флэш-памяти TLC
Цвета, использованные в оформлении чёрный
Бренд SAMSUNG
Гарантия 12 мес.
Максимальная скорость записи 6900 МБ/с
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1400000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000
Максимальная скорость чтения 7450 МБ/с
Объем накопителя 2048 ГБ
Потребляемая мощность 8.5 Вт
Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.055 Вт
Ресурс TBW 1200 ТБ
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000
Тип жесткого диска SSD
Толщина товара 2.3 мм
Ударостойкость при хранении 1500 G
Объем памяти 2048
Background Garbage Collection Да
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32 1550000 IOPS
manufacturerCountry Корея, республика
pictureID 546765
Для веб-сервера или файлового сервера Нет
Для сервера баз данных Нет
Дополнительная информация нет
Интерфейс SSD PCI-Express
Комплект поставки SSD
Максимальные перегрузки 1500G длительностью 0.5 мс
масса(кг) 0.2
Объем (Гб) 2048
описание SSD накопитель MZ-V9P2T0BW от компании Samsung.
ПО в комплекте нет
Поддержка TRIM Есть
Потребление энергии (Вт) 8.5
Протокол NVMe 2
Рабочая температура 0 ~ 70 °C
Размеры (ширина x высота x глубина) 80x22x2.3 мм
Скорость записи (Мб/с) 6900
Скорость чтения (Мб/с) 7450
Тип оборудования SSD диск
Тип чипов TLC
Форм-фактор M.2 2280
Версия PCI-E PCIe 4x4 w/NVMe
Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с 7877
Высота, мм 2.3
Глубина, мм 22
Номинальный объем, ГБ 2000
Объем буфера, МБ 2048
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да
Позиционирование использования Desktop
Серия продукции 990 Pro
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 1400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ 1200
Тип буферной памяти DDR4
Тип интерфейса PCI Express
Тип комплектации RTL
Ударостойкость при работе, G 1500
Ударостойкость при хранении, G 1500
Ширина, мм 80
Энергопотребление при работе, Вт, max 8.5
Вес, г 70

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.