MA4P604-131, Диоды
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 800 руб.
от 10 шт. —
1 670 руб.
от 50 шт. —
1 480 руб.
от 91 шт. —
1 353 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 800 руб.
Описание
Диодный КОНТАКТНЫЙ аттенюатор/переключатель 1 кВ 2Pin.
MACOM предлагает обширную линейку низкоемкостных, планарных и мезо-кремниевых PIN-диодных чипов, в которых используется технология пассивации керамическим стеклом и нитридом кремния. Серия устройств silicon PIN chip удовлетворяет широкому спектру требований к производительности для применения в схемах управления. Они доступны в нескольких вариантах длины I-образной области и были оптимально спроектированы таким образом, чтобы свести к минимуму параметрические компромиссы при рассмотрении низкой емкости, низкого последовательного сопротивления и высоких напряжений пробоя. Их небольшие размеры и низкий уровень паразитных воздействий делают их идеальным выбором для широкополосных, высокочастотных гибридных сборок с микрополосками. Линейка аттенюаторных микросхем на PIN-диодах имеет плоскую или mesa-конструкцию и из-за их более толстых I-образных областей и предсказуемых RSV. I-характеристики хорошо подходят для схем аттенюаторов и переключателей с низким уровнем искажений. В конструкцию чипа встроен проверенный временем процесс металлокерамики MACOM из твердого стекла. Пассивация из твердого стекла полностью герметизирует всю область контактного соединения, в результате чего получается герметично закрытый чип, который подходит для многих военных применений. Эти диоды Cermachip доступны в широком диапазоне напряжений, до 3000 вольт, которые способны управлять киловаттами радиочастотной мощности.
MACOM предлагает обширную линейку низкоемкостных, планарных и мезо-кремниевых PIN-диодных чипов, в которых используется технология пассивации керамическим стеклом и нитридом кремния. Серия устройств silicon PIN chip удовлетворяет широкому спектру требований к производительности для применения в схемах управления. Они доступны в нескольких вариантах длины I-образной области и были оптимально спроектированы таким образом, чтобы свести к минимуму параметрические компромиссы при рассмотрении низкой емкости, низкого последовательного сопротивления и высоких напряжений пробоя. Их небольшие размеры и низкий уровень паразитных воздействий делают их идеальным выбором для широкополосных, высокочастотных гибридных сборок с микрополосками. Линейка аттенюаторных микросхем на PIN-диодах имеет плоскую или mesa-конструкцию и из-за их более толстых I-образных областей и предсказуемых RSV. I-характеристики хорошо подходят для схем аттенюаторов и переключателей с низким уровнем искажений. В конструкцию чипа встроен проверенный временем процесс металлокерамики MACOM из твердого стекла. Пассивация из твердого стекла полностью герметизирует всю область контактного соединения, в результате чего получается герметично закрытый чип, который подходит для многих военных применений. Эти диоды Cermachip доступны в широком диапазоне напряжений, до 3000 вольт, которые способны управлять киловаттами радиочастотной мощности.
Технические параметры
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды СВЧ, туннельные»
Типы корпусов импортных диодов