Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ
erid: LjN8KJZnZ
IS61WV51216BLL-10TLI, , Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc, 8Мбит (512Kx16), 10нс, параллельный интерфейс, корп
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 410 руб.
от 5 шт. —
1 220 руб.
от 10 шт. —
1 150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 410 руб.
Описание
МИКРОСХЕМЫ\Микросхемы памяти
SRAM - микросхема асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Технические параметры
| Интерфейс | parallel | |
| Корпус | TSOP-44(0.400", 10.16mm Width) | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 3 | |
| Время | доступа-10 нс | |
| Диапазон рабочих температур | -40…+85 °С | |
| Напряжение питания | 2.4…3.6 В | |
| Описание | SRAM-Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 10 ns | |
| Память | SRAM-Asynchronous 8Мбит(512Кбитх16) | |
| Тип | Статическое асинхронное ОЗУ | |
| Тип монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*40/135 | |
| Упаковка | Tray, 135 шт. | |
| Access Time | 10ns | |
| ECCN | 3A991B2A | |
| HTSUS | 8542.32.0041 | |
| Memory Format | SRAM | |
| Memory Interface | Parallel | |
| Memory Size | 8Mb (512K x 16) | |
| Memory Type | Volatile | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) | |
| Package | Tray | |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II | |
| Technology | SRAM - Asynchronous | |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V | |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns | |
| Access Time: | 10 ns | |
| Brand: | ISSI | |
| Data Rate: | SDR | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 135 | |
| Interface Type: | Parallel | |
| Manufacturer: | ISSI | |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C | |
| Memory Size: | 8 Mbit | |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C | |
| Moisture Sensitive: | Yes | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Ports: | 1 | |
| Organization: | 512 k x 16 | |
| Package / Case: | TSOP-44 | |
| Packaging: | Tray | |
| Product Category: | SRAM | |
| Product Type: | SRAM | |
| Series: | IS61WV51216BLL | |
| Subcategory: | Memory & Data Storage | |
| Supply Current - Max: | 25 mA | |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V | |
| Supply Voltage - Min: | 2.4 V | |
| Type: | Asynchronous | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары
![AT28C64B-15PU, Энергонезависимая память, [PDIP-28]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330131.jpg)
![AT45DB321E-SHF-T, Флэш-память, SPI, 32 Мбит (528 Bytes x 8192 pages), 85МГц [SOIC-8-0.208]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304630.jpg)
![AT24CM01-SSHM-T, Микросхема памяти EEPROM [SOIC-8_150mil]](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174838.jpg)
![FM25CL64B-GTR, Микросхема памяти FRAM 64КБит SPI 20МГц [SOIC-8-0.154]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AT27C080-90PU, Микросхема памяти EPROM-OTP, 8Mb (1M x 8), Parallel [DIP-32]](https://static.chipdip.ru/lib/892/DOC005892888.jpg)
