SI2393DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

61 руб.

54 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 31 шт. — 45 руб.

от 62 шт. — 43 руб.

от 123 шт. — 40 руб.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 486 руб.

Номенклатурный номер: 8028993601

Артикул: SI2393DS-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А

Корпус	sot-23
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.0189Ом
Power Dissipation	2.5Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	7.5А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.2В
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0189Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Maximum Continuous Drain Current	6.1 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Вес, г	4