YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4998 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
83 руб.
Кратность заказа 6 шт.
от 114 шт. —
36 руб.
от 444 шт. —
34 руб.
от 774 шт. —
32.67 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 498 руб.
Номенклатурный номер: 8029042602
Артикул: YJG55G10A
Описание
транзисторы полевые импортные
Техническая документация
Datasheet
pdf, 655 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![IRF9310TR, Транзистор P-MOSFET 30В 20А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
