Samsung MZ-V9P4T0CW, Твердотельный накопитель

Фото 1/10 Samsung MZ-V9P4T0CW, Твердотельный накопитель
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
393 шт. со склада г.Москва
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
49 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 49 770 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8029731782
Артикул: MZ-V9P4T0CW

Описание

Комплектующие для ПК\Накопители информации\Твердотельные накопители
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

Технические параметры

Форм-фактор M.2 2280
Максимальная скорость чтения, Мб/с 7450
Интерфейс PCIe 4x4(NVMe)
DRAM буфер Да
TBW твердотельного накопителя, Тбайт 2400
Ёмкость накопителя, Гбайт 4000
Кэш-память 1000
Модель Samsung 990 PRO
Назначение Клиентские ПК
Объём DRAM буфера, Мб 4096
Скорость последовательной записи, Мбайт/c 6900
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 1400000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 1550000
Средняя наработка на отказ, ч 1500000
Тип памяти V-NAND
Время наработки на отказ 1500000 ч
Код производителя MZ-V9P4T0CW
Контроллер Samsung Pascal
Объём кэш памяти 4096 Мб, LPDDR4
Объём накопителя 4000 Гб
Поддержка NVMe да
Производитель Samsung
Размер M.2 2280
Ресурс перезаписи (TBW) 2400 ТБ
Скорость записи 6900 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков 1400000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков 1550000 IOPS
Скорость чтения 7450 МБ/сек
Тип SSD
Тип флэш-памяти TLC
Цвета, использованные в оформлении красный, чёрный
Версия PCI-E PCIe 4x4 w/NVMe
Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель
Высота, мм 8.9
Глубина, мм 25
Комплект поставки Твердотельный накопитель SSD
Номинальный объем, ГБ 4000
Объем буфера, МБ 4096
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да
Позиционирование использования Desktop
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 1600
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Тип буферной памяти DDR4
Тип интерфейса PCI Express
Ударостойкость при работе, G 1500
Ударостойкость при хранении, G 1500
Ширина, мм 80.15
Энергопотребление при работе, Вт, max 8.6
MTBF 1500000
Исполнение Внутреннее
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с 6900/7450
Цвет Черный
Вес, г 20

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.