SI6968BEDQ-T1-E3, N-Channel MOSFET, 5.2 A, 20 V TSSOP-8 SI6968BEDQ-T1-E3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
247 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Semiconductor dual N-channel 2.5 V (G-S) mosfet has common drain, ESD protection with surface mount.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | TSSOP-8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 251 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов