IRF630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Pd - рассеивание мощности | 74 W |
Qg - заряд затвора | 43 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Вес, г | 1.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов