IQE006NE2LM5CGSCATMA1, MOSFET TRENCH = 40V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
436 руб.
от 250 шт. —
401.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 790 руб.
Описание
The Infineon MOSFETs allows the source potential to be connected to the PCB over the thermal pad which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSDSO |
| Pin Count | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1577 КБ
