N-Channel MOSFET, 310 A, 25 V, 24-Pin TSDSO IQE006NE2LM5CGSCATMA1

N-Channel MOSFET, 310 A, 25 V, 24-Pin TSDSO IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 020 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 040 руб.
Номенклатурный номер: 8030976108
Артикул: IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon MOSFETs allows the source potential to be connected to the PCB over the thermal pad which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 310 A
Maximum Drain Source Voltage 25 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TSDSO
Pin Count 24

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1577 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов