N-Channel MOSFET, 310 A, 25 V, 24-Pin TSDSO IQE006NE2LM5CGSCATMA1
![N-Channel MOSFET, 310 A, 25 V, 24-Pin TSDSO IQE006NE2LM5CGSCATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC044842999.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 040 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon MOSFETs allows the source potential to be connected to the PCB over the thermal pad which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 310 A |
Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TSDSO |
Pin Count | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1577 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары