IXTQ96N20P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
МОП-транзистор 96 Amps 200V 0.024 Rds
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Qg - заряд затвора | 145 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTQ96N20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Вес, г | 5.32 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
