TP2520N8-G, MOSFET (Metal Oxide) Transistor - P-Channel - 200V Vdss - 260mA (Tj) Id - 1.6W (Ta) - TO-243AA (SOT-89) Package - ...

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

310 руб.

Кратность заказа 250 шт.

от 500 шт. — 290 руб.

от 2000 шт. — 273 руб.

Добавить в корзину 250 шт. на сумму 77 500 руб.

Номенклатурный номер: 8031611905

Артикул: TP2520N8-G

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet

МОП-транзистор 200V 12Ohm

Id - непрерывный ток утечки	260 mA
Pd - рассеивание мощности	1.6 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	12 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	15 ns
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm