IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61 руб.
от 50 шт. —
57 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 61 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 8,7А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/4.1А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 11 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7401
pdf, 197 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов