Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFIB7N50APBF, транзистор N канал 500В 6.6А ...

IRFIB7N50APBF, транзистор N канал 500В 6.6А TO220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Кратность заказа 2 шт.

от 50 шт. — 140 руб.

от 200 шт. — 121 руб.

от 350 шт. — 118.90 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.

Номенклатурный номер: 8049644079

Артикул: IRFIB7N50APBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

транзисторы полевые импортные

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 6,6А, Idm: 44А, 60Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	60
Корпус	TO220FP-3
Крутизна характеристики S,А/В	6.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	520
Температура, С	-55…+150
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFIB
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Base Product Number	IRFIB7 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1423pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520mOhm @ 4A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	6.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	520 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	60000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220FP
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	28
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	52(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	52(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1423 25V
Typical Rise Time (ns)	35
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	32
Typical Turn-On Delay Time (ns)	14
FET Feature	-
Manufacturer	Vishay Siliconix
Packaging	Tube
Series	-
Maximum Continuous Drain Current	6.6 A
Maximum Drain Source Resistance	520 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	60 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220FP
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	52 nC @ 10 V
Вес, г	3.5