IRG4PC40SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт

Фото 1/2 IRG4PC40SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
820 руб.
от 4 шт.730 руб.
от 7 шт.684 руб.
от 14 шт.645 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 820 руб.
Номенклатурный номер: 8112303603
Артикул: IRG4PC40SPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247
Brand Infineon/IR
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Factory Pack Quantity 25
Height 20.3 mm
Length 15.9 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 160 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Technology Si
Unit Weight 1.340411 oz
Width 5.3 mm
Вес, г 7.228

Техническая документация

IRG4PC40SPBF
pdf, 631 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов