SFH309-5, (Q62702-P999), NPN кремниевый фототранзистор 3мм/380-1150нм/ Ipce=1.6-3.2mA/ + 20/12°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
917 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
31 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 80 шт. —
25 руб.
от 159 шт. —
23 руб.
от 318 шт. —
21 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 465 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фототранзисторы
NPN кремниевый фототранзистор 3мм/380-1150нм/ Ipce=1.6-3.2mA/ + 20/12°
Технические параметры
| Корпус | T1(3mm) |
| Brand | OSRAM Opto Semiconductors |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
| Dark Current | 15 mA |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Fall Time | 8 us |
| Half Intensity Angle Degrees | 12 deg |
| Height | 5.2 mm |
| Length | 4 mm |
| Lens Color/Style | Clear |
| Light Current | 5 mA |
| Manufacturer | Osram Opto Semiconductor |
| Maximum On-State Collector Current | 15 mA |
| Maximum Operating Temperature | +100 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Operating Supply Voltage | - |
| Output Current | - |
| Package / Case | T-1 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | Q62702P0999 |
| Pd - Power Dissipation | 165 mW |
| Peak Wavelength | 860 nm |
| Product | Phototransistors |
| Product Category | Phototransistors |
| Propagation Delay - Max | - |
| Rise Time | 8 us |
| RoHS | Details |
| Type | Silicon NPN Phototransistor |
| Wavelength | 860 nm |
| Width | 4 mm |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 246 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
