BSP297H6327XTSA1, Транзистор МОП N-канал 200В 0,66A 1,8Вт 1,8Ом SOT2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Кратность заказа 3 шт.
от 12 шт. —
250 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 840 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой BSP297H6327XTSA1 от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технике. С током стока 0,66 А и напряжением сток-исток 200 В, данный транзистор обеспечивает стабильную работу в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,8 Ом, что гарантирует его эффективность и надежность в использовании. Компактный корпус SOT223 обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на плате. Ищите BSP297H6327XTSA1 для своих проектов, где требуется надежный и долговечный компонент. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.66 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.8 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min | 470 mS |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 660 mA |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSP297 H6327 SP001058622 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 16.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
| Rise Time | 3.8 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSP297 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 49 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Width | 3.5 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 470 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 660 mA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | BSP297 H6327 SP001058622 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.9 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Rise Time: | 3.8 ns |
| Series: | BSP297 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 574 КБ
Документация
pdf, 578 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
