Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B ...

IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 25 шт. — 102 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 9000562898

Артикул: IRF7309TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7309TRPBF от производителя INFINEON – высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж этого транзистора выполнен в формате SMD, что обеспечивает удобство в использовании и позволяет интегрировать его в различные печатные платы. С током стока 4 А и напряжением сток-исток 30 В данный элемент обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 1,4 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,05 Ом, что свидетельствует о его высокой эффективности. Тип N+P-MOSFET указывает на комбинированное применение как N-канального, так и P-канального МОП-транзистора в одном корпусе SO8. Это делает IRF7309TRPBF идеальным выбором для разработки энергоэффективных схем. Код товара для поиска: IRF7309TRPBF. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N+P-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	4
Напряжение сток-исток, В	30
Мощность, Вт	1.4
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.05
Корпус	SO8

Технические параметры

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.9/3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.4
Крутизна характеристики, S	5.2/2.5
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15