VEMT3700-GS08, Фототранзистор smd 3,5х2,8мм/450-1080нм/60°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 41 шт. —
20 руб.
от 82 шт. —
17 руб.
от 163 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 21 шт.
на сумму 462 руб.
Описание
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фототранзисторы
Фототранзистор smd 3,5х2,8мм/450-1080нм/60°
Технические параметры
Корпус | PLCC2 |
Automotive | No |
Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 120 |
Lead Shape | J-Lead |
Lens Shape Type | Flat |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
Maximum Dark Current (nA) | 200 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
Maximum Fall Time (ns) | 6000(Typ) |
Maximum Light Current (uA) | 500 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
Maximum Rise Time (ns) | 6000(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Channels per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 850 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
PPAP | No |
Standard Package Name | LCC |
Supplier Package | PLCC |
Type | IR Chip |
Viewing Orientation | Top View |
Вес, г | 0.45 |