TIP31C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
761 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
53 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 48 шт. —
43 руб.
от 95 шт. —
40 руб.
от 190 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 477 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Base Product Number | TIP31 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 300ВµA | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power - Max | 2W | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 3 A | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz | |
| Height | 9.15 mm(Max) | |
| Length | 10.4 mm(Max) | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum DC Collector Current | 3 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -65 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 40 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Series | 500V Transistors | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Unit Weight | 0.211644 oz | |
| Width | 4.6 mm(Max) | |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Power Dissipation | 2 W | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Minimum DC Current Gain | 10 | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 25 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 2 | |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 100 | |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 3 | |
| Тип проводимости | NPN | |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. | |
| Вес, г | 2.9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
