BCX55,115, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А

Фото 1/5 BCX55,115, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
865 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 138 шт.14 руб.
от 275 шт.12 руб.
от 550 шт.11 руб.
Добавить в корзину 27 шт. на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8315758975
Артикул: BCX55,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А

Технические параметры

Корпус SOT-89-3
Base Product Number BCX55 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 1.35W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-89
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 60V
Maximum DC Collector Current 1A
Pd - Power Dissipation 1.35W
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 180 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.35 W
Minimum DC Current Gain 63
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-89
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.097

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1978 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.