BFN27E6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А, 0.36 Вт

Фото 1/2 BFN27E6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А, 0.36 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 49 шт.25 руб.
от 97 шт.23 руб.
от 194 шт.22 руб.
Добавить в корзину 16 шт. на сумму 464 руб.
Номенклатурный номер: 8404257740
Артикул: BFN27E6327HTSA1

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А, 0.36 Вт

Технические параметры

Корпус sot-23
Brand: Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO: 300 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Infineon
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Part # Aliases: BFN 27 E6327 SP000014782
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Series: BFN27
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 523 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов