SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

32 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

от 320 шт. — 26 руб.

от 639 шт. — 23 руб.

от 1277 шт. — 22 руб.

Добавить в корзину 15 шт. на сумму 480 руб.

Посмотреть аналоги4

Номенклатурный номер: 8414943690

Артикул: SI2309CDS-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт

Корпус	sot-23
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.2 A
Maximum Drain Source Resistance	345 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.05