BCR533E6327HTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 10 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 451 шт. —
19 руб.
от 902 шт. —
17 руб.
от 1804 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 10 кОм+10 кОм
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Assembly | SMT | |
Country of origin | China | |
Customs tariff number | 85412900 | |
Enclosure | SOT-23 | |
Manufacturer | Infineon Technologies | |
Manufacturer number | BCR533E6327 | |
max. Voltage between Collector and Emitter Vceo | 50V | |
Power dissipation | 0.33V | |
Saturation voltage | 0.3V | |
Version | NPN | |
Base Part Number | BCR533 | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
Frequency - Transition | 100MHz | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Packaging | Tape & Reel(TR) | |
Part Status | Last Time Buy | |
Power - Max | 330mW | |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms | |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms | |
Series | - | |
Supplier Device Package | SOT-23-3 | |
Transistor Type | NPN-Pre-Biased | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Документация
pdf, 525 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов