BCR533E6327HTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 10 кОм+10 кОм

Фото 1/2 BCR533E6327HTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 10 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 451 шт.19 руб.
от 902 шт.17 руб.
от 1804 шт.16 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8440021766
Артикул: BCR533E6327HTSA1

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 10 кОм+10 кОм

Технические параметры

Корпус sot-23
Assembly SMT
Country of origin China
Customs tariff number 85412900
Enclosure SOT-23
Manufacturer Infineon Technologies
Manufacturer number BCR533E6327
max. Voltage between Collector and Emitter Vceo 50V
Power dissipation 0.33V
Saturation voltage 0.3V
Version NPN
Base Part Number BCR533
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel(TR)
Part Status Last Time Buy
Power - Max 330mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Series -
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Документация
pdf, 525 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов