PartNumber: IRFR024NTRPBF
Ном. номер: 8449596888
Производитель: Infineon Technologies
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
39 руб. × = 273 руб.
Минимальное количество для заказа 7 шт.
от 100 шт. — 18 руб.
от 500 шт. — 14.06 руб.
Есть аналоги


The IRFR024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DPAK/TO252, инфо: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, 38W

Дополнительная информация

Datasheet IRFR024NTRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов