MJD31CT4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

85 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 142 шт. — 67 руб.

от 283 шт. — 63 руб.

от 565 шт. — 61 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 510 руб.

Посмотреть аналоги8

Номенклатурный номер: 8451888471

Артикул: MJD31CT4G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Корпус	DPAK/TO-252AA
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.56 W
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.66