STP6NK60Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
280 руб.
от 2 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Категория продукта
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Rds Вкл | 1.2 Ohms |
RoHS | Подробности |
Вес изделия | 1.438 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 19 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Напряжение пробоя затвор-исток | +/-30 V |
Напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Непрерывный ток стока | 6 A |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Рассеяние мощности | 110 W |
Серия | STP6NK60Z |
Типичное время задержки выключения | 47 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220 |
кол-во в упаковке | 50 |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 19 ns |
Forward Transconductance - Min: | 5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 110 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 33 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
Rise Time: | 14 ns |
Series: | STP6NK60Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.