BC859C,215, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А

Фото 1/5 BC859C,215, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
918 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
от 233 шт.8 руб.
от 465 шт.6.60 руб.
Добавить в корзину 45 шт. на сумму 495 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8489601559
Артикул: BC859C,215
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А

Технические параметры

Корпус sot-23
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 933628690215
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 420 at 2 mA, 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 420 at 2 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number BC859 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Brand Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO 30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 420 at 2 mA at 5 V
DC Current Gain hFE Max 420 at 2 mA at 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 10000
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Height 1 mm
Length 3 mm
Manufacturer Nexperia
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Part # Aliases /T3 BC859C
Pd - Power Dissipation 250 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Transistor Polarity PNP
Width 1.4 mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 350 КБ
Datasheet
pdf, 187 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.