BCP56,115, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 0.96 Вт

Фото 1/8 BCP56,115, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 0.96 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1400 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 136 шт.14 руб.
от 271 шт.13 руб.
от 542 шт.11 руб.
Добавить в корзину 26 шт. на сумму 468 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8498562815
Артикул: BCP56,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 0.96 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
Pd - рассеивание мощности 960 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm
Длина 6.7 mm
Другие названия товара № BCP56 T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 63 at 5 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Base Product Number BCP56 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 960mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V
Maximum DC Collector Current 1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 180 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 960 mW
Minimum DC Current Gain 63
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 4
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.85

Техническая документация

BCP56_BCX56_BC56PA
pdf, 1113 КБ
Datasheet
pdf, 1738 КБ
Datasheet
pdf, 1124 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.