IRG4PC40FPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт

Фото 1/3 IRG4PC40FPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 030 руб.
от 3 шт.960 руб.
от 6 шт.900 руб.
от 11 шт.850 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 030 руб.
Номенклатурный номер: 8551922442
Артикул: IRG4PC40FPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247AC
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 49 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247AC
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 49A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Design Resources IRG4PC40F Saber ModelIRG4PC40F Spice Model
Family IGBTs-Single
Gate Charge 100nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Online Catalog Standard IGBTs
Other Names *IRG4PC40FPBF
Package / Case TO-247-3
Packaging Bulk
Power - Max 160W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) -
Series -
Standard Package 25
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 370µJ(on), 1.81mJ(off)
Td (on/off) @ 25°C 26ns/240ns
Test Condition 480V, 27A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 27A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 263 КБ
Документация
pdf, 265 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов